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单相BJT晶体管 / MMBT2907

  • 价格 起订量
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  • 型号: MMBT2907
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 描述: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 1805
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
  • 工厂交货时间:7 Weeks
  • 触点镀层:Tin
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 引脚数:3
  • 供应商器件包装:SOT-23-3
  • 质量:30mg
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:40V
  • Current-Collector (Ic) (Max):800mA
  • Number of Elements:1
  • hFEMin:100
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:1997
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终端:SMD/SMT
  • 最高工作温度:150°C
  • 最小工作温度:-55°C
  • 电压 - 额定直流:-40V
  • 最大功率耗散:350mW
  • 额定电流:-800mA
  • 基本部件号:MMBT2907
  • 极性:PNP
  • 元素配置:Single
  • 功率耗散:350mW
  • 功率 - 最大:350mW
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极发射器电压(VCEO):40V
  • 最大集电极电流:800mA
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:100 @ 150mA 10V
  • 最大集极截止电流:20nA ICBO
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.6V @ 50mA, 500mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):40V
  • 最大击穿电压:40V
  • 集电极基极电压(VCBO):-60V
  • 发射极基极电压 (VEBO):-5V
  • 高度:6.35mm
  • 长度:6.35mm
  • 宽度:6.35mm
  • 达到SVHC:无SVHC
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:符合RoHS标准
  • 无铅:无铅