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单相BJT晶体管 / KST4403MTF

  • 价格 起订量
  • ¥ 0.55208 1+
  • ¥ 0.52083 10+
  • ¥ 0.49135 100+
  • ¥ 0.46354 500+
  • ¥ 0.43730 1000+
  • 型号: KST4403MTF
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 描述: Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 32700
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.55208

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
  • 工厂交货时间:13 Weeks
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 引脚数:3
  • 质量:30mg
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:-750mV
  • Number of Elements:1
  • hFEMin:100
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2002
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:3
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Tin (Sn)
  • 最高工作温度:150°C
  • 电压 - 额定直流:-40V
  • 最大功率耗散:350mW
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • 额定电流:-600mA
  • 频率:200MHz
  • 基本部件号:KST4403
  • 元素配置:Single
  • 功率耗散:350mW
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 增益带宽积:200MHz
  • 极性/通道类型:PNP
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极发射器电压(VCEO):40V
  • 最大集电极电流:600mA
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:100 @ 150mA 2V
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):750mV @ 50mA, 500mA
  • 转换频率:200MHz
  • 最大击穿电压:40V
  • 集电极基极电压(VCBO):-40V
  • 发射极基极电压 (VEBO):-5V
  • 关断时间-最大值(toff):255ns
  • 高度:970μm
  • 长度:2.9mm
  • 宽度:1.3mm
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:符合RoHS标准
  • 无铅:无铅

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