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单相BJT晶体管 / MCH3106-TL-E
- 价格 起订量
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- 型号： MCH3106-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： ON Semi MCH3106-TL-E PNP Bipolar Transistor; 3 A; 12 V; 3-Pin MCPH
- 库存地点： 内地
- 库存： 512
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 安装类型：表面贴装
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-165mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：3A
- hFEMin：200
- Number of Elements：1
- 已出版：2012
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：900mW
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 频率：280MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：900mW
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：-165mV
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：165mV @ 30mA, 1.5A
- 集电极基极电压(VCBO)：15V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：830μm
- 宽度：1.6mm
- 长度：2mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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