简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / FJV92MTF
- 价格 起订量
- ￥ 0.71990 1+
- ￥ 0.67915 10+
- ￥ 0.64071 100+
- ￥ 0.60444 500+
- ￥ 0.57023 1000+
- 型号： FJV92MTF
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.71990
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 质量：30mg
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：500mA
- hFEMin：25
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 最大功率耗散：350mW
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 增益带宽积：50MHz
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：-350V
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 10mA 10V
- 最大集极截止电流：250nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 2mA, 20mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：350V
- 集电极基极电压(VCBO)：-350V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 连续集电极电流：-500mA
- RoHS状态：符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
- FJV92MTF ON Semiconductor
DDTA143XCA-7-F Diodes Incorporated- DDTA114ECA-7-F Diodes Incorporated
MMBTA92LT1 ON Semiconductor- MMBTA93LT1G ON Semiconductor
