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单相BJT晶体管 / 2SD1207T-AE
- 价格 起订量
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- 型号： 2SD1207T-AE
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 描述： Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin Case MP T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 548
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：150mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：140
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
- HTS代码：8541.29.00.75
- 最大功率耗散：1W
- 端子位置：BOTTOM
- 基本部件号：2SD1207
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：150MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 50mA, 1A
- 最高频率：150MHz
- 转换频率：150MHz
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 高度：8.5mm
- 长度：6mm
- 宽度：4.7mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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