图片经供参考,以实物为准

单相BJT晶体管 / BC858CMTF

  • 价格 起订量
  • ¥ 0.21506 1+
  • ¥ 0.20289 10+
  • ¥ 0.19140 100+
  • ¥ 0.18057 500+
  • ¥ 0.17035 1000+
  • 型号: BC858CMTF
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 描述: Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 122556
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.21506

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)
  • 工厂交货时间:17 Weeks
  • 触点镀层:Tin
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 引脚数:3
  • 质量:30mg
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:-250mV
  • Number of Elements:1
  • hFEMin:110
  • 操作温度:150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2004
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:3
  • ECCN 代码:EAR99
  • 电压 - 额定直流:-30V
  • 最大功率耗散:310mW
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • 额定电流:-100mA
  • 频率:150MHz
  • 基本部件号:BC858
  • 元素配置:Single
  • 功率耗散:310mW
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 增益带宽积:150MHz
  • 极性/通道类型:PNP
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极发射器电压(VCEO):30V
  • 最大集电极电流:100mA
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:420 @ 2mA 5V
  • 最大集极截止电流:15nA ICBO
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):650mV @ 5mA, 100mA
  • 转换频率:150MHz
  • 最大击穿电压:30V
  • 集电极基极电压(VCBO):-30V
  • 发射极基极电压 (VEBO):-5V
  • 高度:930μm
  • 长度:2.9mm
  • 宽度:1.3mm
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

采购询价

可替换产品