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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2N5088TF
- 价格 起订量
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- 型号： 2N5088TF
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-92-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 包装/外壳：TO-92-3
- 引脚数：3
- 质量：240mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：300
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：625mW
- 端子位置：BOTTOM
- 额定电流：100mA
- 频率：50MHz
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：625mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：50MHz
- 集电极发射器电压(VCEO)：30V
- 最大集电极电流：100mA
- 转换频率：50MHz
- 最大击穿电压：30V
- 集电极基极电压(VCBO)：35V
- 发射极基极电压 (VEBO)：4.5V
- 最小直流增益（hFE）：300
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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