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单相BJT晶体管 / BC81816MTF
- 价格 起订量
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- 型号： BC81816MTF
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
- 库存地点： 内地
- 库存： 631
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：310mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 频率：100MHz
- 基本部件号：BC818
- 元素配置：Single
- 功率耗散：310mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：100MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：25V
- 最大集电极电流：800mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：110 @ 100mA 1V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：700mV @ 50mA, 500mA
- 转换频率：100MHz
- 最大击穿电压：25V
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：930μm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.3mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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