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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / KSH210TM
- 价格 起订量
- ￥ 7.69979 1+
- ￥ 7.26396 10+
- ￥ 6.85279 100+
- ￥ 6.46489 500+
- ￥ 6.09896 1000+
- 型号： KSH210TM
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- 库存地点： 内地
- 库存： 360000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.69979
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- 质量：260.37mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- hFEMin：45
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- 已出版：2002
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 最大功率耗散：1.4W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：KSH210
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE
- 功率 - 最大：1.4W
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.8V
- 最大集电极电流：5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：45 @ 2A 1V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.8V @ 1A, 5A
- 转换频率：65MHz
- 最大击穿电压：25V
- 频率转换：65MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：-40V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-8V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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