简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / NSS20200W6T1G
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： NSS20200W6T1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： TRANS PNP 20V 2A SC-88
- 库存地点： 内地
- 库存： 122556
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：20V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：555mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：NSS20200
- 引脚数量：6
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：555mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：100MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：215mV
- 最大集电极电流：2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 1A 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：215mV @ 20mA, 2A
- 转换频率：100MHz
- 最大击穿电压：20V
- 集电极基极电压(VCBO)：20V
- 发射极基极电压 (VEBO)：7V
- 关断时间-最大值（toff)：445ns
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
NSS20200W6T1G ON Semiconductor
2SAR522UBTL ROHM Semiconductor
DSA5002S0L Panasonic Electronic Components
2SB1308T100Q ROHM Semiconductor- DSA500200L Panasonic Electronic Components
