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单相BJT晶体管 / 2SD1816T-E
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： 2SD1816T-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
- 库存地点： 内地
- 库存： 520
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Number of Elements：1
- hFEMin：70
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Bulk
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- HTS代码：8541.29.00.75
- 最大功率耗散：1W
- 端子位置：SINGLE
- 基本部件号：2SD1816
- 引脚数量：3
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：1W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：100V
- 最大集电极电流：4A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 500mA 5V
- 最大集极截止电流：1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 200mA, 2A
- 转换频率：180MHz
- 频率转换：180MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：120V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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