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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / BCP56
- 价格 起订量
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- 型号： BCP56
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： TRANS NPN 80V 1.2A SOT-223
- 库存地点： 内地
- 库存： 327
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：21 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SOT-223-4
- 质量：188mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：50V
- Current-Collector (Ic) (Max)：1.2A
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2017
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：80V
- 最大功率耗散：1W
- 额定电流：1.2A
- 基本部件号：BCP56
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1W
- 功率 - 最大：1W
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：80V
- 最大集电极电流：1.2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：80V
- 最大击穿电压：80V
- 集电极基极电压(VCBO)：100V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：1.6mm
- 长度：6.5mm
- 宽度：3.5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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