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单相BJT晶体管 / 2SC5706-H
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: 2SC5706-H
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述: Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 7 hours ago)
- 工厂交货时间:2 Weeks
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 表面安装:NO
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:160mV
- Number of Elements:1
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Bulk
- 已出版:2012
- JESD-609代码:e6
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散:800mW
- 频率:400MHz
- 基本部件号:2SC5706
- 引脚数量:3
- 元素配置:Single
- 功率耗散:800mW
- 箱体转运:COLLECTOR
- 晶体管应用:SWITCHING
- 无卤素:无卤素
- 增益带宽积:400MHz
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):50V
- 最大集电极电流:5A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流:1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):240mV @ 100mA, 2A
- 转换频率:400MHz
- 集电极基极电压(VCBO):100V
- 发射极基极电压 (VEBO):6V
- 达到SVHC:无SVHC
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:无铅
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