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单相BJT晶体管 / 2SD1815T-E
- 价格 起订量
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- 型号： 2SD1815T-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin(3 Tab) TP Bag
- 库存地点： 内地
- 库存： 159
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：150mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：3A
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2016
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：1W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 频率：130MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：2SD1815
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1W
- 增益带宽积：180MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：100V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：70 @ 500mA 5V
- 最大集极截止电流：1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 150mA, 1.5A
- 集电极基极电压(VCBO)：120V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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