简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / FJBE2150DTU
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： FJBE2150DTU
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： Bipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 质量：1.88g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：800V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- 操作温度：-55°C~125°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：ESBC™
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 最大功率耗散：110W
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：110W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：5MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：800V
- 最大集电极电流：2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：20 @ 400mA 3V
- 最大集极截止电流：100μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 330mA, 1A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 转换频率：5MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：1.5kV
- 发射极基极电压 (VEBO)：12V
- 高度：4.83mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：9.85mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FJBE2150DTU ON Semiconductor- KSB834WYTM ON Semiconductor
NJVMJD45H11G ON Semiconductor
