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单相BJT晶体管 / FJAF4210RTU
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： FJAF4210RTU
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-3P-3 Full Pack
- 描述： Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin(3 Tab) TO-3PF Rail
- 库存地点： 内地
- 库存： 546
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-3P-3 Full Pack
- 引脚数：3
- 质量：6.962g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：140V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：50
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：-140V
- 最大功率耗散：80W
- 额定电流：-10A
- 频率：30MHz
- 元素配置：Single
- 功率耗散：80W
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：30MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：140V
- 最大集电极电流：10A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：50 @ 3A 4V
- 最大集极截止电流：10μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 500mA, 5A
- 转换频率：30MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：-200V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-6V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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