简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SD1835T-AA
- 价格 起订量
- ￥ 4.03790 1+
- ￥ 3.80934 10+
- ￥ 3.59372 100+
- ￥ 3.39030 500+
- ￥ 3.19840 1000+
- 型号： 2SD1835T-AA
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
- 库存地点： 内地
- 库存： 756
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.03790
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：150mV
- hFEMin：100
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Box (TB)
- 已出版：2003
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：750mW
- 基本部件号：2SD1835
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：750mW
- 增益带宽积：150MHz
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 50mA, 1A
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
2SD1835T-AA ON Semiconductor
2SC3332T-AA ON Semiconductor
2SC3332S-AA ON Semiconductor- 2SD1835T ON Semiconductor
- 2SD1835S ON Semiconductor
