图片经供参考,以实物为准

单相BJT晶体管 / JAN2N5666S
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: JAN2N5666S
- 厂商: Microsemi Corporation
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- 描述: Trans GP BJT NPN 200V 5A 3-Pin TO-39
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
- 工厂交货时间:22 Weeks
- 触点镀层:Lead, Tin
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Number of Elements:1
- 操作温度:-65°C~200°C TJ
- 包装:Bulk
- 系列:Military, MIL-PRF-19500/455
- 已出版:2007
- JESD-609代码:e0
- 无铅代码:no
- 零件状态:Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:2
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最大功率耗散:1.2W
- 端子位置:BOTTOM
- 终端形式:PIN/PEG
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 引脚数量:2
- JESD-30代码:O-MBFM-P2
- 资历状况:Qualified
- 配置:SINGLE
- 功率耗散:1.2W
- 箱体转运:COLLECTOR
- 晶体管应用:SWITCHING
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):200V
- 最大集电极电流:5A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:40 @ 1A 5V
- 最大集极截止电流:200nA
- JEDEC-95代码:TO-5
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1V @ 5A, 1A
- 集电极基极电压(VCBO):250V
- 发射极基极电压 (VEBO):6V
- RoHS状态:Non-RoHS Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
JAN2N5666S Microsemi Corporation
JANTX2N5339 Microsemi Corporation
2N5337 Microsemi Corporation
JANTX2N5666S Microsemi Corporation

