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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / FMB857B
- 价格 起订量
- ￥ 2.43405 1+
- ￥ 2.29628 10+
- ￥ 2.16630 100+
- ￥ 2.04368 500+
- ￥ 1.92800 1000+
- 型号： FMB857B
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： TRANS PNP 45V 0.5A SSOT-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 3341
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.43405
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：SuperSOT™-6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Current-Collector (Ic) (Max)：500mA
- Number of Elements：2
- hFEMin：220
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：-45V
- 最大功率耗散：700mW
- 额定电流：-100mA
- 极性：PNP
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：700mW
- 功率 - 最大：700mW
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：45V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：220 @ 2mA 5V
- 最大集极截止电流：15nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：45V
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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