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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2N5366
- 价格 起订量
- ￥ 0.64581 1+
- ￥ 0.60925 10+
- ￥ 0.57476 100+
- ￥ 0.54223 500+
- ￥ 0.51154 1000+
- 型号： 2N5366
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： TRANS PNP 40V 0.5A TO-92
- 库存地点： 内地
- 库存： 13185
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.64581
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2002
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 电压 - 额定直流：-40V
- 最大功率耗散：625mW
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- Reach合规守则：unknown
- 额定电流：-500mA
- 基本部件号：2N5366
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 功率耗散：625mW
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：40V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 50mA 1V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 30mA, 300mA
- 转换频率：250MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：40V
- 发射极基极电压 (VEBO)：4V
- 集电极-基极电容-最大值：8pF
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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