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单相BJT晶体管 / BD243BTU

  • 价格 起订量
  • ¥ 3.42002 1+
  • ¥ 3.22643 10+
  • ¥ 3.04381 100+
  • ¥ 2.87152 500+
  • ¥ 2.70898 1000+
  • 型号: BD243BTU
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-220-3
  • 描述: Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 170323
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 3.42002

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 22 hours ago)
  • 工厂交货时间:8 Weeks
  • 触点镀层:Tin
  • 底架:通孔
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:TO-220-3
  • 引脚数:3
  • 质量:1.8g
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:1.5V
  • Number of Elements:1
  • hFEMin:15
  • 操作温度:150°C TJ
  • 包装:Tube
  • 已出版:2000
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:3
  • ECCN 代码:EAR99
  • 电压 - 额定直流:80V
  • 最大功率耗散:65W
  • 额定电流:6A
  • 基本部件号:BD243
  • 元素配置:Single
  • 功率耗散:65W
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 极性/通道类型:NPN
  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极发射器电压(VCEO):80V
  • 最大集电极电流:6A
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:15 @ 3A 4V
  • 最大集极截止电流:700μA
  • JEDEC-95代码:TO-220AB
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.5V @ 1A, 6A
  • 集电极基极电压(VCBO):80V
  • 发射极基极电压 (VEBO):5V
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:符合RoHS标准
  • 无铅:无铅

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