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单相BJT晶体管 / FJPF2145TU
- 价格 起订量
- ¥ 20.06556 1+
- ¥ 18.92977 10+
- ¥ 17.85828 100+
- ¥ 16.84743 500+
- ¥ 15.89380 1000+
- 型号: FJPF2145TU
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-220-3 Full Pack
- 描述: TRANS NPN 800V 5A TO-220F
- 库存地点: 内地
- 库存: 11
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 20.06556
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间:5 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3 Full Pack
- 引脚数:3
- 质量:2.27g
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:800V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:159mV
- Number of Elements:1
- hFEMin:20
- 操作温度:-55°C~125°C TJ
- 包装:Tube
- 系列:ESBC™
- 已出版:2013
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 最大功率耗散:40W
- 元素配置:Single
- 功率耗散:40W
- 箱体转运:ISOLATED
- 晶体管应用:SWITCHING
- 增益带宽积:15MHz
- 极性/通道类型:NPN
- 晶体管类型:NPN
- 集电极发射器电压(VCEO):800V
- 最大集电极电流:5A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:20 @ 200mA 5V
- 最大集极截止电流:10μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):2V @ 300mA, 1.5A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 转换频率:28.4MHz
- 集电极基极电压(VCBO):1.1kV
- 发射极基极电压 (VEBO):7V
- 高度:16.07mm
- 长度:10.36mm
- 宽度:4.9mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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