图片经供参考,以实物为准

单相BJT晶体管 / 2SA2126-TL-E
- 价格 起订量
- ¥ 7.71966 1+
- ¥ 7.28270 10+
- ¥ 6.87047 100+
- ¥ 6.48157 500+
- ¥ 6.11469 1000+
- 型号: 2SA2126-TL-E
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
- 库存地点: 内地
- 库存: 15000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 7.71966
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间:4 Weeks
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-520mV
- Current-Collector (Ic) (Max):3A
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2005
- JESD-609代码:e6
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散:800mW
- 基本部件号:2SA2126
- 引脚数量:3
- 元素配置:Single
- 增益带宽积:390MHz
- 晶体管类型:PNP
- 集电极发射器电压(VCEO):50V
- 最大集电极电流:3A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流:1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):520mV @ 100mA, 2A
- 最高频率:390MHz
- 集电极基极电压(VCBO):50V
- 发射极基极电压 (VEBO):-6V
- 高度:2.3mm
- 长度:6.5mm
- 宽度:5.5mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
2SA2126-TL-E ON Semiconductor
2SB1202S-TL-E ON Semiconductor
2SB1202T-TL-E ON Semiconductor
2SA2072TLQ ROHM Semiconductor
2SA2126-S-TL-E ON Semiconductor

