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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / FJB5555TM
- 价格 起订量
- ￥ 14.13834 1+
- ￥ 13.33806 10+
- ￥ 12.58307 100+
- ￥ 11.87082 500+
- ￥ 11.19889 1000+
- 型号： FJB5555TM
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： D2PAK
- 描述： Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 962
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.13834
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：D2PAK
- 引脚数：3
- 质量：1.31247g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- HTS代码：8541.29.00.95
- 最大功率耗散：1.6W
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：SWITCHING
- 集电极发射器电压(VCEO)：400V
- 最大集电极电流：5A
- 最高频率：1MHz
- 最大击穿电压：400V
- 集电极基极电压(VCBO)：1.05kV
- 发射极基极电压 (VEBO)：14V
- 最小直流增益（hFE）：20
- 高度：4.83mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：9.65mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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