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单相BJT晶体管 / ZX5T851ASTZ
- 价格 起订量
- ￥ 9.69391 1+
- ￥ 9.14520 10+
- ￥ 8.62755 100+
- ￥ 8.13919 500+
- ￥ 7.67848 1000+
- 型号： ZX5T851ASTZ
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： E-Line-3
- 描述： TRANSISTOR NPN 60V MED TO92-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 11000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.69391
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：30 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：E-Line-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Box (TB)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：60V
- 最大功率耗散：1W
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：4.5A
- 频率：130MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：ZX5T851A
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：130MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：60V
- 最大集电极电流：4.5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 2A 1V
- 最大集极截止电流：20nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：210mV @ 200mA, 5A
- 转换频率：130MHz
- 最大击穿电压：60V
- 集电极基极电压(VCBO)：150V
- 发射极基极电压 (VEBO)：7V
- 高度：4.01mm
- 长度：4.77mm
- 宽度：2.41mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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