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单相BJT晶体管 / 2SD1803T-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 4.79748 1+
- ￥ 4.52593 10+
- ￥ 4.26974 100+
- ￥ 4.02806 500+
- ￥ 3.80006 1000+
- 型号： 2SD1803T-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Bipolar Transistor, (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
- 库存地点： 内地
- 库存： 7033
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.79748
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400mV
- hFEMin：70
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：1W
- Reach合规守则：not_compliant
- 基本部件号：2SD1803
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流：1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 150mA, 3A
- 最高频率：180MHz
- 频率转换：180MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 高度：5.5mm
- 长度：6.5mm
- 宽度：2.3mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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