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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / NJD1718T4G
- 价格 起订量
- ￥ 5.70803 1+
- ￥ 5.38494 10+
- ￥ 5.08013 100+
- ￥ 4.79257 500+
- ￥ 4.52130 1000+
- 型号： NJD1718T4G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： NJD1718 Series 50 V 2 A PNP Surface Mount Power Transistor - TO-252-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 2500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.70803
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- hFEMin：70
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：1.68W
- 终端形式：鸥翼
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：1.68W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 无卤素：无卤素
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：500mV
- 最大集电极电流：2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：70 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 50mA, 1A
- 转换频率：80MHz
- 最大击穿电压：50V
- 频率转换：80MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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