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单相BJT晶体管 / MSD601-RT1
- 价格 起订量
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- 型号： MSD601-RT1
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： TRANS NPN 50V 0.1A SC59
- 库存地点： 内地
- 库存： 97700
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：no
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS代码：8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流：50V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：240
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：MSD601
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 功率 - 最大：200mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：210 @ 2mA 10V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 10mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 最大耗散功率(Abs)：0.2W
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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