简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / D44H8
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： D44H8
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： TRANS NPN 60V 10A TO220AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 35000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-220AB
- 质量：1.8g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Current-Collector (Ic) (Max)：10A
- Number of Elements：1
- hFEMin：60
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2007
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：60V
- 最大功率耗散：60W
- 额定电流：8A
- 频率：50MHz
- 基本部件号：D44H
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：60W
- 功率 - 最大：2W
- 增益带宽积：50MHz
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：60V
- 最大集电极电流：10A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 4A 1V
- 最大集极截止电流：10μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 400mA, 8A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：60V
- 最高频率：50MHz
- 最大击穿电压：60V
- 频率转换：50MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：650mV
- 高度：16.51mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：4.83mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
D44H8 ON Semiconductor
KSE44H11TU ON Semiconductor- D44H11TU ON Semiconductor
- KSE44H11 ON Semiconductor
