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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / TIP147T
- 价格 起订量
- ￥ 12.10928 1+
- ￥ 11.42385 10+
- ￥ 10.77721 100+
- ￥ 10.16718 500+
- ￥ 9.59168 1000+
- 型号： TIP147T
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： TRANS PNP DARL 100V 10A TO220
- 库存地点： 内地
- 库存： 88168
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.10928
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 质量：1.214g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：1000
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：-100V
- 最大功率耗散：80W
- 额定电流：-2A
- 基本部件号：TIP147
- 极性：PNP
- 元素配置：Single
- 功率耗散：80W
- 晶体管类型：PNP - Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：100V
- 最大集电极电流：10A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：1000 @ 5A 4V
- 最大集极截止电流：2mA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：3V @ 40mA, 10A
- 集电极基极电压(VCBO)：-100V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 高度：9.4mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：4.83mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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