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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2N5195G
- 价格 起订量
- ￥ 8.09915 1+
- ￥ 7.64071 10+
- ￥ 7.20822 100+
- ￥ 6.80021 500+
- ￥ 6.41529 1000+
- 型号： 2N5195G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-225AA, TO-126-3
- 描述： TRANS PNP 80V 4A TO225AA
- 库存地点： 内地
- 库存： 36000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.09915
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-225AA, TO-126-3
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 质量：4.535924g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.4V
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：-80V
- 最大功率耗散：40W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-4A
- 频率：2MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：2N5195
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：40W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 无卤素：无卤素
- 增益带宽积：2MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：80V
- 最大集电极电流：4A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：20 @ 1.5A 2V
- 最大集极截止电流：1mA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.4V @ 1A, 4A
- 转换频率：2MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：80V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：11.04mm
- 长度：7.74mm
- 宽度：2.66mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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