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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / TIP29
- 价格 起订量
- ￥ 2.48887 1+
- ￥ 2.34799 10+
- ￥ 2.21508 100+
- ￥ 2.08970 500+
- ￥ 1.97142 1000+
- 型号： TIP29
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
- 库存地点： 内地
- 库存： 190
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.48887
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-220-3
- 质量：1.214g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：1A
- Number of Elements：1
- hFEMin：15
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 电压 - 额定直流：40V
- 最大功率耗散：2W
- 额定电流：1A
- 频率：3MHz
- 基本部件号：TIP29
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：2W
- 功率 - 最大：2W
- 增益带宽积：3MHz
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：40V
- 最大集电极电流：1A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：15 @ 1A 4V
- 最大集极截止电流：300μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：700mV @ 125mA, 1A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
- 最大击穿电压：40V
- 频率转换：3MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：40V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：6.35mm
- 长度：6.35mm
- 宽度：6.35mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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