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单相BJT晶体管 / KSH200TF
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- 型号： KSH200TF
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： DPAK
- 描述： Supplied as a Tape, ON Semi KSH200TF NPN Transistor, 5 A, 25 V, 3-Pin DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：DPAK
- 引脚数：3
- 质量：260.37mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.8V
- Number of Elements：1
- hFEMin：45
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：25V
- 最大功率耗散：12.5W
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：5A
- 频率：65MHz
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.4W
- 增益带宽积：65MHz
- 集电极发射器电压(VCEO)：25V
- 最大集电极电流：5A
- JEDEC-95代码：TO-252
- 转换频率：65MHz
- 最大击穿电压：25V
- 集电极基极电压(VCBO)：40V
- 发射极基极电压 (VEBO)：8V
- 最小直流增益（hFE）：10
- 高度：2.3mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：6.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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