图片经供参考,以实物为准

单相BJT晶体管 / 2SA1987-O(Q)
- 价格 起订量
- ¥ 25.07507 1+
- ¥ 23.65572 10+
- ¥ 22.31672 100+
- ¥ 21.05351 500+
- ¥ 19.86180 1000+
- 型号: 2SA1987-O(Q)
- 厂商: Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-3PL
- 描述: Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-3PL
- 库存地点: 内地
- 库存: 1
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 25.07507
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:14 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-3PL
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:230V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:3V
- Current-Collector (Ic) (Max):15A
- Number of Elements:1
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Bulk
- 已出版:2007
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):不适用
- ECCN 代码:EAR99
- 最大功率耗散:180W
- 频率:30MHz
- 元素配置:Single
- 功率耗散:180W
- 极性/通道类型:PNP
- 晶体管类型:PNP
- 集电极发射器电压(VCEO):230V
- 最大集电极电流:15A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:80 @ 1A 5V
- 最大集极截止电流:5μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):3V @ 800mA, 8A
- 集电极基极电压(VCBO):230V
- 发射极基极电压 (VEBO):5V
- 高度:26mm
- 长度:20.5mm
- 宽度:5.2mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
NJL1302DG ON Semiconductor
NJL0302DG ON Semiconductor
TTA1943(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
MJL0302AG ON Semiconductor

