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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2N5550TFR
- 价格 起订量
- ￥ 1.49986 1+
- ￥ 1.41496 10+
- ￥ 1.33487 100+
- ￥ 1.25931 500+
- ￥ 1.18803 1000+
- 型号： 2N5550TFR
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 描述： Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
- 库存地点： 内地
- 库存： 16000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.49986
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- 引脚数：3
- 质量：240mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- hFEMin：60
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：140V
- 已出版：2000
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：140V
- 最大功率耗散：625mW
- 端子位置：BOTTOM
- 额定电流：600mA
- 频率：300MHz
- 基本部件号：2N5550
- 元素配置：Single
- 功率耗散：625mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：300MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：140V
- 最大集电极电流：600mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：60 @ 10mA 5V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 5mA, 50mA
- 转换频率：100MHz
- 最大击穿电压：140V
- 集电极基极电压(VCBO)：160V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 宽度：3.86mm
- 长度：4.58mm
- 高度：4.58mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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