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单相BJT晶体管 / 2SA1943N(S1,E,S)
- 价格 起订量
- ￥ 23.64475 1+
- ￥ 22.30637 10+
- ￥ 21.04375 100+
- ￥ 19.85259 500+
- ￥ 18.72886 1000+
- 型号： 2SA1943N(S1,E,S)
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-3P-3, SC-65-3
- 描述： Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin TO-3P(N)
- 库存地点： 内地
- 库存： 100000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 23.64475
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-3P-3, SC-65-3
- 供应商器件包装：TO-3P(N)
- 质量：6.961991g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：230V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-1.1V
- Current-Collector (Ic) (Max)：15A
- hFEMin：35
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2005
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：不适用
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：150W
- 极性：PNP
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：150W
- 增益带宽积：30MHz
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：3V
- 最大集电极电流：15A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 1A 5V
- 最大集极截止电流：5μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：3V @ 800mA, 8A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：230V
- 频率转换：30MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：-230V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 连续集电极电流：-15A
- RoHS状态：符合RoHS标准
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