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单相BJT晶体管 / BC858C
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： BC858C
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：Surface Mount, Through Hole
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SOT-23-3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- hFEMin：420
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 电压 - 额定直流：-30V
- 最大功率耗散：625mW
- 额定电流：-100mA
- 基本部件号：BC858
- 极性：PNP
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：310mW
- 增益带宽积：200MHz
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：30V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：420 @ 2mA 5V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：30V
- 最大击穿电压：30V
- 频率转换：150MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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