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单相BJT晶体管 / DMJT9435-13
- 价格 起订量
- ￥ 4.59606 1+
- ￥ 4.33591 10+
- ￥ 4.09048 100+
- ￥ 3.85894 500+
- ￥ 3.64051 1000+
- 型号： DMJT9435-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： TRANS PNP 30V 3A SOT-223
- 库存地点： 内地
- 库存： 200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.59606
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：24 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：3
- 质量：7.994566mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-550mV
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2001
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1.2W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 频率：160MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 元素配置：Single
- 功率耗散：2W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：1.2W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：160MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：30V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：125 @ 800mA 1V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：550mV @ 300mA, 3A
- 转换频率：160MHz
- 最大击穿电压：30V
- 集电极基极电压(VCBO)：45V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 高度：1.6mm
- 长度：6.5mm
- 宽度：3.5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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