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单相BJT晶体管 / 2SC3265-Y,LF
- 价格 起订量
- ￥ 2.16133 1+
- ￥ 2.03899 10+
- ￥ 1.92358 100+
- ￥ 1.81470 500+
- ￥ 1.71198 1000+
- 型号： 2SC3265-Y,LF
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI
- 库存地点： 内地
- 库存： 3973
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.16133
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2014
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 配置：SINGLE
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：120MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：400mV
- 最大集电极电流：800mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：160 @ 100mA 1V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 20mA, 500mA
- 转换频率：120MHz
- 最大击穿电压：25V
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 连续集电极电流：800mA
- RoHS状态：符合RoHS标准
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