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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2STR2230
- 价格 起订量
- ￥ 3.70929 1+
- ￥ 3.49933 10+
- ￥ 3.30125 100+
- ￥ 3.11439 500+
- ￥ 2.93810 1000+
- 型号： 2STR2230
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： POWER BJT, PNP, -30V, -1.5A, SOT-23 - More Details
- 库存地点： 内地
- 库存： 267800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.70929
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：-30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-420mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：70
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：哑光锡
- 电压 - 额定直流：-30V
- 最大功率耗散：500mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-1.5A
- 频率：100MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：2STR
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：500mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：100MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：30V
- 最大集电极电流：1.5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：170 @ 500mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：800mV @ 200mA, 2A
- 转换频率：100MHz
- 最大击穿电压：30V
- 集电极基极电压(VCBO)：30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：950μm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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