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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SD1766T100R
- 价格 起订量
- ￥ 6.18019 1+
- ￥ 5.83036 10+
- ￥ 5.50034 100+
- ￥ 5.18900 500+
- ￥ 4.89529 1000+
- 型号： 2SD1766T100R
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： TRANS NPN 32V 2A SOT-89
- 库存地点： 内地
- 库存： 49900
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.18019
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Copper, Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：32V
- Number of Elements：1
- hFEMin：82
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e2
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：锡铜
- 电压 - 额定直流：32V
- 最大功率耗散：2W
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：2A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：2SD1766
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-F3
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：100MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：32V
- 最大集电极电流：2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：180 @ 500mA 3V
- 最大集极截止电流：1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：800mV @ 200mA, 2A
- 转换频率：100MHz
- 最大击穿电压：32V
- 集电极基极电压(VCBO)：40V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- VCEsat-最大值：0.8 V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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