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单相BJT晶体管 / ZXTN04120HP5TC
- 价格 起订量
- ¥ 1.25711 1+
- ¥ 1.18595 10+
- ¥ 1.11882 100+
- ¥ 1.05549 500+
- ¥ 0.99575 1000+
- 型号: ZXTN04120HP5TC
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: PowerDI™ 5
- 描述: Darlington Transistors 120V NPN Med Pwr Darlington 1.5A 3.2W
- 库存地点: 内地
- 库存: 254
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 1.25711
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:14 Weeks
- 包装/外壳:PowerDI™ 5
- 安装类型:表面贴装
- 底架:表面贴装
- 引脚数:5
- 供应商器件包装:PowerDI™ 5
- 质量:95.991485mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:120V
- hFEMin:5000
- Power Dissipation (Max):3.2W
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):150MHz
- Current-Collector (Ic) (Max):1.5A
- 已出版:2007
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 最高工作温度:150°C
- 最小工作温度:-55°C
- 极性:NPN
- 元素配置:Single
- 功率 - 最大:3.2W
- 晶体管类型:NPN - Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO):1.5V
- 最大集电极电流:1.5A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:2000 @ 1A 5V
- 最大集极截止电流:100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.5V @ 1mA, 1A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):120V
- 最大击穿电压:120V
- 频率转换:150MHz
- 集电极基极电压(VCBO):140V
- 发射极基极电压 (VEBO):14V
- 连续集电极电流:1.5A
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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