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单相BJT晶体管 / APT13003DU-G1
- 价格 起订量
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- 型号： APT13003DU-G1
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-225AA, TO-126-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W
- 库存地点： 内地
- 库存： 30
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-225AA, TO-126-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：450V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300mV
- Number of Elements：1
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2016
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：哑光锡
- 最大功率耗散：20W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：4MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：400mV
- 最大集电极电流：1.5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：5 @ 1A 2V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 250mA, 1A
- 转换频率：4MHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：9V
- 连续集电极电流：1.5A
- VCEsat-最大值：0.4 V
- 关断时间-最大值（toff)：3350ns
- 接通时间-最大值(ton)：700ns
- 最大下降时间 (tf)：350ns
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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