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单相BJT晶体管 / BC847BLP4-7B
- 价格 起订量
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- ￥ 3.43263 500+
- ￥ 3.23833 1000+
- 型号： BC847BLP4-7B
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 3-XFDFN
- 描述： Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.08832
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-XFDFN
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 最大功率耗散：250mW
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：BC847
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 增益带宽积：100MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：45V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- 最大集极截止电流：15nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：600mV @ 5mA, 100mA
- 转换频率：100MHz
- 最大击穿电压：45V
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 连续集电极电流：100mA
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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