简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / APT13003DI-G1
- 价格 起订量
- ￥ 1.07498 1+
- ￥ 1.01414 10+
- ￥ 0.95673 100+
- ￥ 0.90258 500+
- ￥ 0.85149 1000+
- 型号： APT13003DI-G1
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
- 库存地点： 内地
- 库存： 7200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.07498
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 供应商器件包装：TO-251
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：450V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：1.5A
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2010
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-65°C
- 最大功率耗散：24W
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：24W
- 增益带宽积：4MHz
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：400mV
- 最大集电极电流：1.5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：5 @ 1A 2V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 250mA, 1A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：450V
- 频率转换：4MHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：9V
- 连续集电极电流：1.5A
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
