简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 12A02MH-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 0.81818 1+
- ￥ 0.77187 10+
- ￥ 0.72818 100+
- ￥ 0.68696 500+
- ￥ 0.64807 1000+
- 型号： 12A02MH-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 3-SMD, Flat Lead
- 描述： Trans GP BJT PNP 12V 1A 3-Pin MCPH T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 2483
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.81818
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：21 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-SMD, Flat Lead
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-240mV
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：600mW
- 频率：450MHz
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：600mW
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：12V
- 最大集电极电流：1A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：300 @ 10mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：240mV @ 20mA, 400mA
- 最大击穿电压：12V
- 集电极基极电压(VCBO)：15V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 高度：850μm
- 长度：2mm
- 宽度：1.6mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
12A02MH-TL-E ON Semiconductor
2SB1733TL ROHM Semiconductor
2SA2048KT146Q ROHM Semiconductor
MCH6103-TL-E ON Semiconductor- 30A02MH-TL-E ON Semiconductor
