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单相BJT晶体管 / FJV992FMTF
- 价格 起订量
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- ￥ 1.01827 500+
- ￥ 0.96064 1000+
- 型号： FJV992FMTF
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.21278
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：120V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-300mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：200
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：-120V
- 最大功率耗散：300mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：-50mA
- 频率：50MHz
- 基本部件号：FJV992
- 元素配置：Single
- 功率耗散：300mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：50MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：120V
- 最大集电极电流：50mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：300 @ 1mA 6V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 1mA, 10mA
- 转换频率：50MHz
- 最大击穿电压：120V
- 集电极基极电压(VCBO)：-120V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 高度：1.04mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.3mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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