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单相BJT晶体管 / 2SCR523UBTL
- 价格 起订量
- ￥ 1.17485 1+
- ￥ 1.10835 10+
- ￥ 1.04561 100+
- ￥ 0.98642 500+
- ￥ 0.93059 1000+
- 型号： 2SCR523UBTL
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SC-85
- 描述： TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F
- 库存地点： 内地
- 库存： 12000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.17485
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-85
- 引脚数：85
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：100mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：120
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-F3
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：200mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：350MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：120 @ 1mA 6V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 5mA, 50mA
- 转换频率：350MHz
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 连续集电极电流：200mA
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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