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单相BJT晶体管 / 2SAR502EBTL

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: 2SAR502EBTL
  • 厂商: ROHM Semiconductor
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: SC-89, SOT-490
  • 描述: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3F
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 9000
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:13 Weeks
  • 触点镀层:Tin
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:SC-89, SOT-490
  • 质量:29.993795mg
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:-150mV
  • hFEMin:200
  • 操作温度:150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2015
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • ECCN 代码:EAR99
  • 最大功率耗散:150mW
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:not_compliant
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
  • 元素配置:Single
  • 功率 - 最大:150mW
  • 增益带宽积:520MHz
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极发射器电压(VCEO):400mV
  • 最大集电极电流:500mA
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 100mA 2V
  • 最大集极截止电流:200nA ICBO
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):400mV @ 10mA, 200mA
  • 最大击穿电压:30V
  • 集电极基极电压(VCBO):-30V
  • 发射极基极电压 (VEBO):-6V
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

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