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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SB1121T-TD-E
- 价格 起订量
- ￥ 1.89925 1+
- ￥ 1.79174 10+
- ￥ 1.69032 100+
- ￥ 1.59464 500+
- ￥ 1.50438 1000+
- 型号： 2SB1121T-TD-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： TRANS PNP 25V 2A SOT89-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.89925
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-350mV
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：500mW
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 增益带宽积：150MHz
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：25V
- 最大集电极电流：2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：600mV @ 75mA, 1.5A
- 最高频率：150MHz
- 最大击穿电压：25V
- 集电极基极电压(VCBO)：-30V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-6V
- 高度：1.5mm
- 长度：4.5mm
- 宽度：2.5mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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